رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOT3N100
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOT3N100-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 2.8A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12850216
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOT3N100 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
132W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
AOT3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
5202-AOT3N100
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP2N100
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP2N100-DG
سعر الوحدة
3.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTP2N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
136
DiGi رقم الجزء
IXTP2N100P-DG
سعر الوحدة
1.49
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP2NK100Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
738
DiGi رقم الجزء
STP2NK100Z-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
