DDC114TU-7-F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DDC114TU-7-F

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DDC114TU-7-F-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363

المخزون:

123289 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891718
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DDC114TU-7-F المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 100µA, 1mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DDC114

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DDC114TU7F
DDC114TU-FDITR
DDC114TU-FDICT
DDC114TU-FDIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4608(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2601(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

diodes

DDC143EH-7

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1605TE85LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6