DMC1028UFDB-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMC1028UFDB-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMC1028UFDB-13-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 12V 6A/3.4A 6UDFN

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 12V, 20V 6A, 3.4A 1.36W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12883039

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMC1028UFDB-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

N and P-Channel

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

12V, 20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

6A, 3.4A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

18.5nC @ 8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

787pF @ 6V

الطاقة - الحد الأقصى

1.36W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

6-UDFN Exposed Pad

حزمة جهاز المورد

U-DFN2020-6 (Type B)

رقم المنتج الأساسي

DMC1028

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMC1028UFDB-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

10,000

اسماء اخرى

DMC1028UFDB-13DI

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMG6301UDW-13

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

diodes

DMC2700UDM-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT26

diodes

DMN2008LFU-13

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

diodes

DMN2028UFDH-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI