رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN2050LFDB-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN2050LFDB-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 3.3A 730mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
المخزون:
2585 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888681
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN2050LFDB-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
389pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
730mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type B)
رقم المنتج الأساسي
DMN2050
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
-DMN2050LFDB-7DICT
DMN2050LFDB-7DIDKR-DG
31-DMN2050LFDB-7TR
DMN2050LFDB-7DITR
DMN2050LFDB-7DITR-DG
31-DMN2050LFDB-7CT
DMN2050LFDB-7DI-DG
DMN2050LFDB-7DI
DMN2050LFDB-7DICT
DMN2050LFDB-7DICT-DG
31-DMN2050LFDB-7DKR
-DMN2050LFDB-7DIDKR
DMN2050LFDB-7DIDKR
-DMN2050LFDB-7DITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMDPB30XN,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
686
DiGi رقم الجزء
PMDPB30XN,115-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN4031SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
DMN3024LSD-13
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
DMT3020LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
