رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMTH4004SK3Q-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMTH4004SK3Q-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 3.9W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount TO-252-3
المخزون:
12882103
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
4FrI
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMTH4004SK3Q-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4305 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.9W (Ta), 180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
DMTH4004
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVD5C446NT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4980
DiGi رقم الجزء
NVD5C446NT4G-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMTH4004SK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMTH4004SK3-13-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
2N7002H-7
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
DMP3013SFK-7
MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
