رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMBF170-7-F
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMBF170-7-F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
257219 قطع جديدة أصلية في المخزون
12887615
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMBF170-7-F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
40 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
MMBF170
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
MMBF170-FDICT
MMBF170-FDIDKR
MMBF170-FDITR
MMBF1707F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMNH6008SPS-13
MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
ZVP4105A
MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3
DMN10H170SVT-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
