رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N5551
Product Overview
المُصنّع:
Diotec Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N5551-DG
وصف:
BJT TO-92 160V 600MA NPN 0.625W
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
المخزون:
76000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977983
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
dFm5
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N5551 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Diotec Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
600 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
200mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
300MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
TO-92
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
2796-2N5551TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
Not applicable
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0000
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N3904
BJT TO-92 40V 200MA
2PB709ASW,115
NOW NEXPERIA 2PB709ASW - SMALL S
BCW60D,215
NOW NEXPERIA BCW60D - SMALL SIGN