رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1699E-PM-AA
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1699E-PM-AA-DG
وصف:
2SA1699E - PNP EPITAXIAL PLANAR
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 200 mA 70MHz 600 mW Through Hole 3-NP
المخزون:
2999 قطع جديدة أصلية في المخزون
12968147
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1699E-PM-AA المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
200 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
400 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
800mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 50mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
600 mW
التردد - الانتقال
70MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
3-NP
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
523
اسماء اخرى
2156-2SA1699E-PM-AA-600039
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Vendor Undefined
حالة الوصول
Vendor Undefined
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMBT4401/S911,215
NEXPERIA PMBT4401 - NPN SWITCHIN
2SA2031
2SA2031 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
BCW72,235
NEXPERIA BCW72 - SMALL SIGNAL BI
