رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDFMA2P853
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDFMA2P853-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
المخزون:
22471 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946796
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDFMA2P853 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
435 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.4W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-MicroFET (2x2)
العبوة / العلبة
6-VDFN Exposed Pad
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
825
اسماء اخرى
2156-FDFMA2P853
ONSONSFDFMA2P853
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCPF380N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDB86102LZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
