رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G65P06F
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G65P06F-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
وصف تفصيلي:
P-Channel 65A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
المخزون:
58000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12987385
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G65P06F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
65A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
4822-G65P06F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN2310UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMP6018LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
FCC620N60ZF
FCC620N60ZF
