رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AUIRFS8403
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
AUIRFS8403-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 123A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
12829115
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AUIRFS8403 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
123A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3183 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
99W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP001518060
IRAUIRFS8403
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB80N04S403ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
911
DiGi رقم الجزء
IPB80N04S403ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BUK964R1-40E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
114
DiGi رقم الجزء
BUK964R1-40E,118-DG
سعر الوحدة
1.33
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NX3008NBKVL
MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB
BUK7513-75B,127
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
PSMN2R6-60PSQ
MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB