الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BC859CE6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BC859CE6327HTSA1-DG
وصف:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
4810 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802289
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
S
K
L
q
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BC859CE6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
420 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
330 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
رقم المنتج الأساسي
BC859
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BC856 - BC860
مخططات البيانات
BC859CE6327HTSA1
ورقة بيانات HTML
BC859CE6327HTSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BC859CE6327HTSA1DKR
BC 859C E6327CT
BC859CE6327HTSA1TR
INFINFBC859CE6327HTSA1
BC 859C E6327
BC 859C E6327-DG
BC859CE6327HTSA1CT
BC 859C E6327DKR-DG
BC 859C E6327DKR
2156-BC859CE6327HTSA1
BC859CE6327
BC859CE6327XT
SP000010637
BC 859C E6327CT-DG
BC 859C E6327TR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
PBSS5230T,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
PBSS5230T,215-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BC859B,215
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
9498000
DiGi رقم الجزء
BC859B,215-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BCW29,235
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BCW29,235-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FMMT589TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
23590
DiGi رقم الجزء
FMMT589TA-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BC807-40-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
226311
DiGi رقم الجزء
BC807-40-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC817K25E6327HTSA1
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
BDP948E6433HTMA1
TRANS PNP 45V 3A SOT223-4
BCW66KGE6327HTSA1
TRANS NPN 45V 0.8A SOT23
BDP954H6327XTSA1
TRANS PNP 100V 3A SOT223-4