الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUZ80A
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUZ80A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13063886
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUZ80A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
SIPMOS®
التغليف
Tube
حالة الجزء
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BUZ80A
ورقة بيانات HTML
BUZ80A-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
BUZ80AIN
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP5NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
240
DiGi رقم الجزء
STP5NK80Z-DG
سعر الوحدة
0.85
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP4NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP4NK80Z-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP3LN80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
983
DiGi رقم الجزء
STP3LN80K5-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP3N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
841
DiGi رقم الجزء
STP3N80K5-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFBE30PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2597
DiGi رقم الجزء
IRFBE30PBF-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS84PW
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
BSS138WH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
BSZ018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
BSP149 E6906
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4