رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB120N06S402ATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB120N06S402ATMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
2739 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801102
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
n7cc
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB120N06S402ATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 140µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15750 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2156-IPB120N06S402ATMA2TR
IPB120N06S402ATMA2-DG
448-IPB120N06S402ATMA2DKR
448-IPB120N06S402ATMA2TR
448-IPB120N06S402ATMA2CT
SP001028776
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IRFR3103TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
