رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB70P04P409ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB70P04P409ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 72A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 72A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
12800552
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
XZPJ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB70P04P409ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
72A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 120µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4810 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB70P04
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000735964
IPB70P04P409ATMA1-DG
448-IPB70P04P409ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB80P04P405ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1975
DiGi رقم الجزء
IPB80P04P405ATMA2-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC60R3K3C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
BSZ0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
