الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP80N06S209AKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP80N06S209AKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12804378
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
B
G
8
y
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP80N06S209AKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 125µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2360 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
190W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP80N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPB,IPP80N06S2-09
مخططات البيانات
IPP80N06S209AKSA1
ورقة بيانات HTML
IPP80N06S209AKSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPP80N06S2-09
2156-IPP80N06S209AKSA1
INFINFIPP80N06S209AKSA1
IPP80N06S2-09-DG
SP000218740
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF830APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5605
DiGi رقم الجزء
IRF830APBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFBC30APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1483
DiGi رقم الجزء
IRFBC30APBF-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP80NF55-06
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
999
DiGi رقم الجزء
STP80NF55-06-DG
سعر الوحدة
1.54
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IRFH8318TRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
IRF9332PBF
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO