رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPU80R1K4CEAKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPU80R1K4CEAKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
12802538
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
A8B7
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPU80R1K4CEAKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 240µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
570 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPU80R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
SP001593930
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPU80R1K4P7AKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6
DiGi رقم الجزء
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STU3N65M6
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STU3N65M6-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6216TRPBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
IRF7210PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
IRF7201TRPBF
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
