رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPU80R2K8CEBKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPU80R2K8CEBKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
13064100
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
RWqz
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPU80R2K8CEBKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
التغليف
Tube
حالة الجزء
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 120µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
290 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPU80R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
SP001100622
IFEINFIPU80R2K8CEBKMA1
2156-IPU80R2K8CEBKMA1-IT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCU3400N80Z
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
1691
DiGi رقم الجزء
FCU3400N80Z-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF3709S
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223