رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF1405PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF1405PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
13312 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804074
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
bG06
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF1405PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
169A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.3mOhm @ 101A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5480 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
330W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF1405
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF1405PBF
IFEINFIRF1405PBF
2156-IRF1405PBF
SP001574466
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPW65R080CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
IRFR9120NTRPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
IRF7809AV
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
