رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF2204PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF2204PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 210A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
1880 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804943
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
TyvM
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF2204PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
210A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6mOhm @ 130A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5890 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
330W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF2204
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-IRF2204PBF
*IRF2204PBF
INFINFIRF2204PBF
SP001576552
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR3710ZPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IRFI3205PBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
IPB044N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
