رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFA180N10T2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFA180N10T2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
المخزون:
12820622
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFA180N10T2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, TrenchT2™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
480W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA (IXFA)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXFA180
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFS4310ZTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5278
DiGi رقم الجزء
IRFS4310ZTRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN7R0-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3063
DiGi رقم الجزء
PSMN7R0-100BS,118-DG
سعر الوحدة
1.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS4310TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1809
DiGi رقم الجزء
IRFS4310TRLPBF-DG
سعر الوحدة
2.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
IXFX24N90Q
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
IXTH68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO247
