رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFB70N60Q2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFB70N60Q2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS264™
المخزون:
12819587
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
SKaG
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFB70N60Q2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q2 Class
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
88mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
890W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS264™
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFB70
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STY60NM60
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STY60NM60-DG
سعر الوحدة
13.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCH104N60F-F085
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
86
DiGi رقم الجزء
FCH104N60F-F085-DG
سعر الوحدة
3.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFB82N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
220
DiGi رقم الجزء
IXFB82N60P-DG
سعر الوحدة
21.90
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTH26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO247
IXTP50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO220AB
IXKT70N60C5-TUB
MOSFET N-CH 600V 68A TO268
