رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFH130N15X3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFH130N15X3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 130A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
41 قطع جديدة أصلية في المخزون
12821841
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFH130N15X3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X3
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
130A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5230 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
390W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFH130
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO263
IXTT80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO268
IXTH200N075T
MOSFET N-CH 75V 200A TO247