رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFH220N20X3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFH220N20X3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 220A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 220A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12820036
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFH220N20X3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X3
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
220A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.2mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
960W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFH220
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTH21N50Q
MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
IXTT64N25P
MOSFET N-CH 250V 64A TO268
IXFE23N100
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
