رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFN120N65X2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFN120N65X2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
المخزون:
93 قطع جديدة أصلية في المخزون
12820518
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
Wn2j
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFN120N65X2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
108A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
890W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXFN120
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
اسماء اخرى
632519
IXFN120N65X2X-DG
IXFN120N65X2X
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTT8P50
MOSFET P-CH 500V 8A TO268
IXTA44P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
IXFK64N60Q3
MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
