رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFN230N20T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFN230N20T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 220A (Tc) 1090W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
المخزون:
12818865
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
BCcX
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFN230N20T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
220A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
378 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
28000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1090W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXFN230
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH10N90
MOSFET N-CH 900V 10A TO247AD
IXFP220N06T3
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
IXTH74N15T
MOSFET N-CH 150V 74A TO247
