رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFQ12N80P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFQ12N80P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
المخزون:
12819122
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFQ12N80P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IXFQ12
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQA13N80-F109
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
76
DiGi رقم الجزء
FQA13N80-F109-DG
سعر الوحدة
2.65
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW10NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
39
DiGi رقم الجزء
STW10NK80Z-DG
سعر الوحدة
2.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
APT11F80B
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
APT11F80B-DG
سعر الوحدة
4.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW12NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW12NK80Z-DG
سعر الوحدة
2.74
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP90N055T
MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
IXTA14N60P
MOSFET N-CH 600V 14A TO263
IXFR15N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247