رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFR48N60P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFR48N60P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
المخزون:
12820154
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFR48N60P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8860 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS247™
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFR48
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
APT34F60B
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
9
DiGi رقم الجزء
APT34F60B-DG
سعر الوحدة
12.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPW60R099CPAFKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
196
DiGi رقم الجزء
IPW60R099CPAFKSA1-DG
سعر الوحدة
4.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW26NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
204
DiGi رقم الجزء
STW26NM60N-DG
سعر الوحدة
3.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTK180N15P
MOSFET N-CH 150V 180A TO264
IXTH48N20
MOSFET N-CH 200V 48A TO247
IXTH98N20T
MOSFET N-CH 200V 98A TO247
