رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFX14N100
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFX14N100-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 14A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
المخزون:
12819863
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
A7cZ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFX14N100 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS247™-3
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
رقم المنتج الأساسي
IXFX14
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW13NK100Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW13NK100Z-DG
سعر الوحدة
6.20
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STWA12N120K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6
DiGi رقم الجزء
STWA12N120K5-DG
سعر الوحدة
7.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH15N100Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH15N100Q3-DG
سعر الوحدة
10.99
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA120N04T2
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
IXTV230N085T
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220
IXFH67N10Q
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
