رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFY30N25X3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFY30N25X3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 30A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
6563 قطع جديدة أصلية في المخزون
12820378
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
PSh1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFY30N25X3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X3
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
176W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXFY30
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFA7N60P3
MOSFET N-CH 600V 7A TO263
IXFK44N80Q3
MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
IXFR180N07
MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247
