الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXKP20N60C5M
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXKP20N60C5M-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220ABFP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7.6A (Tc) Through Hole TO-220ABFP
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12819746
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXKP20N60C5M المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1.1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1520 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220ABFP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IXKP20
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6024ENX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
464
DiGi رقم الجزء
R6024ENX-DG
سعر الوحدة
1.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOTF20S60L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
977
DiGi رقم الجزء
AOTF20S60L-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6020KNX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
394
DiGi رقم الجزء
R6020KNX-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF24N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
911
DiGi رقم الجزء
STF24N60DM2-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK20A60W5,S5VX
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
50
DiGi رقم الجزء
TK20A60W5,S5VX-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
IXTQ50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
IXTT500N04T2
MOSFET N-CH 40V 500A TO268
IXFH12N90P
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD