رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTC110N25T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTC110N25T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 180W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
المخزون:
12819440
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTC110N25T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS220™
العبوة / العلبة
ISOPLUS220™
رقم المنتج الأساسي
IXTC110
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP50N25T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
533
DiGi رقم الجزء
IXTP50N25T-DG
سعر الوحدة
2.35
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTQ96N25T
MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
IXTZ550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A DE475
IXKF40N60SCD1
MOSFET N-CH 600V 41A I4PAC
