رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTH64N65X
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTH64N65X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12821646
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTH64N65X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Ultra X
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
64A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
51mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
890W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH64
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
-IXTH64N65X
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPW60R060P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
60
DiGi رقم الجزء
IPW60R060P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
3.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCH47N60N
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
1235
DiGi رقم الجزء
FCH47N60N-DG
سعر الوحدة
7.96
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTH62N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
10
DiGi رقم الجزء
IXTH62N65X2-DG
سعر الوحدة
6.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTN550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
IXTA200N055T2
MOSFET N-CH 55V 200A TO263
IXTH3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO247