الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP160N075T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP160N075T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 160A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12821782
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP160N075T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMV™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
160A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4950 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP160
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IXT(A,P)160N075T
مخططات البيانات
IXTP160N075T
ورقة بيانات HTML
IXTP160N075T-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB3307ZPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1731
DiGi رقم الجزء
IRFB3307ZPBF-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMT6005LCT
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMT6005LCT-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMTH6005LCT
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMTH6005LCT-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMT6010SCT
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
47
DiGi رقم الجزء
DMT6010SCT-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFB3307PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
491
DiGi رقم الجزء
IRFB3307PBF-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
IXFR24N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
IXFX240N25X3
MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3
IXFN34N80
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B