IXTQ88N30P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTQ88N30P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTQ88N30P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 88A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

150 قطع جديدة أصلية في المخزون
12822075
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTQ88N30P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
88A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
600W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IXTQ88

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
IXTQ88N30P
ورقة بيانات HTML
IXTQ88N30P-DG
أوراق البيانات
IXT(H,K,Q,T)88N30P Building, Home Automation Appl Guide

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXTP230N04T4M

MOSFET N-CH 40V 230A TO220

littelfuse

IXTH86N20T

MOSFET N-CH 200V 86A TO247

infineon-technologies

IRF1503STRLPBF

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

littelfuse

IXTT72N20

MOSFET N-CH 200V 72A TO268