رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT4F120S
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT4F120S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 4A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount D3PAK
المخزون:
128 قطع جديدة أصلية في المخزون
12939320
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT4F120S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1385 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
175W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D3Pak
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
APT4F120
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
150-APT4F120S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF840PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
SUD23N06-31-BE3
MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK