رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMT200EPEX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMT200EPEX-DG
وصف:
MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
وصف تفصيلي:
P-Channel 70 V 2.4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223
المخزون:
55 قطع جديدة أصلية في المخزون
12831478
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMT200EPEX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
70 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
167mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
822 pF @ 35 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
800mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
PMT200
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
1727-PMT200EPEXDKR
5202-PMT200EPEXTR
1727-PMT200EPEXTR
934660521115
PMT200EPEX-DG
1727-PMT200EPEXCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTF2955T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5249
DiGi رقم الجزء
NTF2955T1G-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NVF2955T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3990
DiGi رقم الجزء
NVF2955T1G-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN1R0-40SSHJ
MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
BUK9M17-30EX
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
PSMN2R2-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
