رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN2R0-25YLDX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN2R0-25YLDX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
2846 قطع جديدة أصلية في المخزون
12829942
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN2R0-25YLDX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.09mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2485 pF @ 12 V
ميزة FET
Schottky Diode (Body)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
115W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
رقم المنتج الأساسي
PSMN2R0
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
568-12930-1
1727-2498-6
568-12930-1-DG
1727-2498-2
568-12930-2
5202-PSMN2R0-25YLDXTR
1727-2498-1
568-12930-2-DG
934069912115
568-12930-6
568-12930-6-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK9Y7R6-40E,115
MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
PMPB25ENEAX
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
BUK755R2-40B,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
