رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN3R5-40YSDX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN3R5-40YSDX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 115W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
1489 قطع جديدة أصلية في المخزون
12829240
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN3R5-40YSDX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.6V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3245 pF @ 20 V
ميزة FET
Schottky Diode (Body)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
115W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
رقم المنتج الأساسي
PSMN3R5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
1727-PSMN3R5-40YSDXCT
934660736115
5202-PSMN3R5-40YSDXTR
1727-8444-1
1727-8444-2
PSMN3R5-40YSD
1727-8444-6-DG
1727-8444-2-DG
1727-PSMN3R5-40YSDXTR
1727-PSMN3R5-40YSDXDKR
1727-8444-6
1727-8444-1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7908-40AIE,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
AUXCLFZ24NSTRL
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
BUK9529-100B,127
MOSFET N-CH 100V 46A TO220AB
