الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BC559C,116
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BC559C,116-DG
وصف:
TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12822619
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
H
P
1
w
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BC559C,116 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
420 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
500 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
BC55
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BC559C,116
ورقة بيانات HTML
BC559C,116-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
933554910116
BC559C T/R
BC559C T/R-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
BC559BTA
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
7028
DiGi رقم الجزء
BC559BTA-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BC559CTA
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
50487
DiGi رقم الجزء
BC559CTA-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2PC1815Y,412
TRANS NPN 50V 0.15A TO92-3
BCW 66KG E6433
TRANS NPN 45V 0.8A SOT23
BC517,112
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92-3
2SD2653TL
TRANS NPN 12V 2A TSMT 3