رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N4123RLRM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N4123RLRM-DG
وصف:
TRANS NPN 30V 0.2A TO92
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
المخزون:
12836675
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
MkeS
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N4123RLRM المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
200 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 2mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
حزمة جهاز المورد
TO-92 (TO-226)
رقم المنتج الأساسي
2N4123
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
2156-2N4123RLRM-ONTB-DG
ONSONS2N4123RLRM
2156-2N4123RLRM
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N6292G
TRANS NPN 70V 7A TO220
BC369G
TRANS PNP 20V 1A TO92
BC546B
BJT TO92 65V 100MA NPN 0.5W 150C