رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SD1207T
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SD1207T-DG
وصف:
TRANS NPN 50V 2A 3MP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
المخزون:
12836454
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SD1207T المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 50mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 100mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
150MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
3-MP
رقم المنتج الأساسي
2SD1207
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SB1215S-E
TRANS PNP 100V 3A TP
BC32716TA
TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
BD238S
TRANS PNP 80V 2A TO126-3