رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ATP213-TL-H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
ATP213-TL-H-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 50A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount ATPAK
المخزون:
12835629
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ATP213-TL-H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3150 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
ATPAK
العبوة / العلبة
ATPAK (2 Leads+Tab)
رقم المنتج الأساسي
ATP213
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
869-1085-6
869-1085-2
869-1085-1
ATP213TLH
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR2905ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2986
DiGi رقم الجزء
IRFR2905ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD35NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4288
DiGi رقم الجزء
STD35NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IPD50N06S4L12ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
17005
DiGi رقم الجزء
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS10C4D2N
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
HUF76645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
2SK4043LS
MOSFET N-CH 30V 20A TO220FI
