رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EFC4612R-TR
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EFC4612R-TR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
وصف تفصيلي:
N-Channel 24 V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount EFCP1313-4CC-037
المخزون:
12847510
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EFC4612R-TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
24 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
EFCP1313-4CC-037
العبوة / العلبة
4-XFBGA
رقم المنتج الأساسي
EFC4612
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
EFC4612R-TROSDKR
2156-EFC4612R-TR-ONTR
ONSONSEFC4612R-TR
EFC4612R-TROSCT
EFC4612R-TR-DG
EFC4612R-TROSTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI8816EDB-T2-E1
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SI8816EDB-T2-E1-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EFC3J018NUZTDG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3146
DiGi رقم الجزء
EFC3J018NUZTDG-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD3N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
AO6414
MOSFET N-CH 55V 2.3A 6TSOP
BFL4004
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FI
