رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB42AN15A0
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB42AN15A0-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12845862
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
qsKO
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB42AN15A0 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
42mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2150 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB42
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA42N15T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA42N15T-DG
سعر الوحدة
1.94
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS4615TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4656
DiGi رقم الجزء
IRFS4615TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOB254L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOB254L-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PHB45NQ15T,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
15790
DiGi رقم الجزء
PHB45NQ15T,118-DG
سعر الوحدة
0.77
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
