رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD1600N10ALZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD1600N10ALZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
6334 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847420
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
JizM
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD1600N10ALZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.61 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
225 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
14.9W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD1600
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2832-FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZCT
FDD1600N10ALZDKR
ONSONSFDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZTR
2156-FDD1600N10ALZ-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
AOT298L
MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220
