FDMS7670

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS7670

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS7670-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 21A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

5365 قطع جديدة أصلية في المخزون

12851156

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMS7670 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

21A (Ta), 42A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

3.8mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

56 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4105 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta), 62W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PQFN (5x6)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMS76

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMS7670CT

FDMS7670DKR

FDMS7670TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDB28N30TM

MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

rohm-semi

R6520KNJTL

MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

rohm-semi

R6515ENJTL

MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

onsemi

FCPF600N60ZL1

MOSFET N-CH 650V 7.4A TO220F