رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDPF12N60NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDPF12N60NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
174 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846855
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDPF12N60NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UniFET-II™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1676 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FDPF12
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FDPF12N60NZ-DG
ONSONSFDPF12N60NZ
2156-FDPF12N60NZ-OS
488-FDPF12N60NZ
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CPH6354-TL-H
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
FDG329N
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
FDS6688S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
