الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD30N06LTF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD30N06LTF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12849205
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD30N06LTF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1040 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FQD30N06LTF
ورقة بيانات HTML
FQD30N06LTF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD20NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6475
DiGi رقم الجزء
STD20NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD16NF06T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
38677
DiGi رقم الجزء
STD16NF06T4-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD16NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6434
DiGi رقم الجزء
STD16NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SVD5867NLT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6925
DiGi رقم الجزء
SVD5867NLT4G-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXMN6A09KTC
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A09KTC-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFS644BYDTU_AS001
MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
AOB286L
MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
AOV11S60
MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN
AOTF11C60P
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F