رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MCH6662-TL-H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MCH6662-TL-H-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6MCPH
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2A 800mW Surface Mount 6-MCPH
المخزون:
12841179
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
HtRS
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MCH6662-TL-H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
128pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
800mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
6-MCPH
رقم المنتج الأساسي
MCH6662
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-MCH6662-TL-H-ONTR-DG
2156-MCH6662-TL-H
ONSONSMCH6662-TL-H
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTHD3102CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
MMDF2C03HDR2
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
NTMFD4C20NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
